Aplikace pro výrobu přídržných obvodů MOSFET s malým proudem

Přídržný obvod MOSFET, který obsahuje odpory R1-R6, elektrolytické kondenzátory C1-C3, kondenzátor C4, PNP triodu VD1, diody D1-D2, mezilehlé relé K1, napěťový komparátor, integrovaný čip s duální časovou základnou NE556 a MOSFET Q1, s vývodem č. 6 integrovaného čipu s duální časovou základnou NE556 sloužícím jako signálový vstup a jedním koncem rezistoru R1 připojeným na stejný čas ke kolíku 6 integrovaného čipu s duální základnou NE556 je použit jako vstup signálu, jeden konec odporu R1 je připojen ke kolíku 14 integrovaného čipu s duální základnou NE556, jeden konec odporu R2, jeden konec odpor R4, emitor tranzistoru PNP VD1, kolektor MOSFET Q1 a stejnosměrný zdroj napájení a druhý konec odporu R1 je připojen k pinu 1 duálního základní integrovaný čip NE556, kolík 2 duálního základního integrovaného čipu NE556, kladná elektrolytická kapacita kondenzátoru C1 a mezilehlé relé. K1 normálně zavřený kontakt K1-1, druhý konec mezilehlého relé K1 normálně zavřený kontakt K1-1, záporný pól elektrolytického kondenzátoru C1 a jeden konec kondenzátoru C3 jsou připojeny k zemi napájecího zdroje, druhý konec kondenzátoru C3 je připojen ke kolíku 3 integrovaného čipu duální časové základny NE556, kolík 4 integrovaného čipu duální časové základny NE556 je připojen ke kladnému pólu elektrolytického kondenzátoru C2 a druhému konec rezistoru R2 a záporný pól elektrolytického kondenzátoru C2 je připojen k zemi napájecího zdroje a záporný pól elektrolytického kondenzátoru C2 je připojen k zemi napájecího zdroje. Záporný pól C2 je připojen k zemi napájecího zdroje, pin 5 integrovaného čipu duální časové základny NE556 je připojen k jednomu konci odporu R3, druhý konec odporu R3 je připojen ke vstupu kladné fáze komparátoru napětí záporný fázový vstup napěťového komparátoru je připojen ke kladnému pólu diody D1 a zároveň k druhému konci rezistoru R4, záporný pól diody D1 je připojen k zemi napájecího zdroje a výstup komparátoru napětí je připojen na konec rezistoru R5, druhý konec rezistoru R5 je připojen k triplexu PNP. Výstup napěťového komparátoru je připojen na jeden konec rezistoru R5, druhý konec rezistoru R5 je připojen k bázi PNP tranzistoru VD1, kolektor PNP tranzistoru VD1 je připojen ke kladnému pólu diody. D2, záporný pól diody D2 je připojen ke konci rezistoru R6, ke konci kondenzátoru C4 a k hradlu MOSFETu, druhý konec rezistoru R6, druhý konec kondenzátoru C4 a druhý konec mezilehlého relé K1 jsou všechny připojeny k napájecímu zdroji a druhý konec mezilehlého relé K1 je připojen ke zdroji zdrojeMOSFET.

Retenční obvod MOSFET, když A poskytuje nízký spouštěcí signál, v tuto chvíli je nastaven integrovaný čip s duální časovou základnou NE556, integrovaný čip s duální časovou základnou NE556 pin 5 výstup vysoká úroveň, vysoká úroveň do kladného fázového vstupu komparátoru napětí, záporný fázový vstup napěťového komparátoru rezistorem R4 a diodou D1 pro poskytnutí referenčního napětí, v tomto okamžiku je výstup komparátoru napětí vysoká úroveň, vysoká úroveň, aby Trioda VD1 vedla, proud proudící z kolektoru triody VD1 nabíjí kondenzátor C4 přes diodu D2 a současně MOSFET Q1 vede, v tomto okamžiku je cívka mezilehlého relé K1 absorbována a mezilehlé relé K1 normálně uzavřený kontakt K 1-1 je odpojeno a poté, co je odpojen normálně uzavřený kontakt mezilehlého relé K1 K 1-1, stejnosměrné napájení pro 1 a 2 stopy integrovaného čipu NE556 s duální základnou poskytuje napájecí napětí je uloženo, dokud se napětí na kolíku 1 a kolíku 2 integrovaného čipu s duální základnou NE556 nenabije na 2/3 napájecího napětí, integrovaný čip s duální základnou NE556 se automaticky resetuje a kolík 5 integrovaný čip NE556 s duální základnou je automaticky obnoven na nízkou úroveň a následné obvody nefungují, zatímco v tomto okamžiku je kondenzátor C4 vybit, aby se zachovala vodivost MOSFET Q1 až do konce kapacita C4 vybíjení a mezilehlé relé K1 uvolnění cívky, mezilehlé relé K1 normálně sepnutý kontakt K 11 sepnutý, v tuto chvíli přes sepnuté mezilehlé relé K1 normálně sepnutý kontakt K 1-1 bude duální časová základna integrovaný čip NE556 1 stopa a 2 stopy napěťového uvolnění vypnout, pro příště do duální časové základny integrovaného čipu NE556 pin 6 poskytnout nízký spouštěcí signál, aby se duální časová základna integrovaného čipu NE556 nastavena na přípravu.

Struktura obvodu této aplikace je jednoduchá a nová, když se integrovaný čip s duální časovou základnou NE556 pin 1 a kolík 2 nabíjí na 2/3 napájecího napětí, integrovaný čip s duální časovou základnou NE556 může být automaticky resetován, integrovaný čip s duální časovou základnou NE556 pin 5 se automaticky vrátí na nízkou úroveň, takže následující obvody nefungují, aby se automaticky zastavilo nabíjení kondenzátoru C4 a po zastavení nabíjení kondenzátoru C4 udržovaného MOSFETem Q1 vodivé, může tato aplikace nepřetržitě udržovatMOSFETQ1 vodivý po dobu 3 sekund.

Zahrnuje rezistory R1-R6, elektrolytické kondenzátory C1-C3, kondenzátor C4, PNP tranzistor VD1, diody D1-D2, mezirelé K1, napěťový komparátor, integrovaný čip duální časové základny NE556 a MOSFET Q1, pin 6 integrovaného duálního časového základu čip NE556 je použit jako signálový vstup a jeden konec rezistoru R1 je připojen ke kolíku 14 integrovaného čipu s duální časovou základnou NE556, rezistor R2, kolík 14 integrovaného čipu duální časové základny NE556 a kolík 14 integrovaného čipu duální časové základny NE556 a odpor R2 je připojen ke kolíku 14 integrovaného čipu duální časové základny NE556. kolík 14 integrovaného čipu NE556 s duální základnou, jeden konec odporu R2, jeden konec odporu R4, tranzistor PNP

Jaký druh principu práce?

Když A poskytuje nízký spouštěcí signál, pak sada integrovaného čipu NE556 s duální základnou, integrovaný čip s duální základnou NE556 pin 5 vyšle vysokou úroveň, vysokou úroveň do kladného fázového vstupu komparátoru napětí, záporného fázového vstupu napěťového komparátoru. napěťový komparátor rezistorem R4 a diodou D1 pro zajištění referenčního napětí, tentokrát napěťového komparátoru na vysoké úrovni, vysoké úrovně vedení tranzistoru VD1, proud teče z kolektoru tranzistor VD1 přes diodu D2 do kondenzátoru C4 nabíjejícího, v tomto okamžiku mezilehlé relé K1 sání cívky, mezilehlé relé K1 sání cívky. Proud tekoucí z kolektoru tranzistoru VD1 se nabíjí do kondenzátoru C4 přes diodu D2 a současně,MOSFETQ1 vede, v tomto okamžiku je nasávána cívka mezilehlého relé K1 a rozpojený spínací kontakt mezilehlého relé K1-1 je odpojen a po odpojení spínacího kontaktu mezilehlého relé K1 K1-1 je napájení napájecí napětí poskytované stejnosměrným zdrojem pro 1 a 2 stopy integrovaného čipu s duální časovou základnou NE556 je uloženo do doby, kdy napětí na kolíku 1 a kolíku 2 integrovaného čipu s duální časovou základnou NE556 se nabíjí na 2/3 napájecího napětí, integrovaný čip NE556 s duální základnou se automaticky resetuje a pin 5 integrovaného čipu s duální základnou NE556 se automaticky obnoví na nízkou úroveň a následné obvody se neresetují. práce a v tomto okamžiku se kondenzátor C4 vybije, aby se zachovala vodivost MOSFET Q1 až do konce vybití kondenzátoru C4, a cívka mezilehlého relé K1 se uvolní a mezilehlý relé K1 normálně sepnutý kontakt K 1-1 je rozpojen. Relé K1 normálně zavřený kontakt K 1-1 sepnutý, tentokrát přes sepnuté mezilehlé relé K1 normálně zavřený kontakt K 1-1 bude duální základní integrovaný čip NE556 1 stopa a 2 stopy na napěťové spouště, pro příště integrovaný čip NE556 s dvojitou základnou, kolík 6, aby poskytl spouštěcí signál pro nastavení nízké hodnoty, aby se připravily na sadu integrovaného čipu s duální základnou NE556.