Jaký je princip fungování MOSFET?

Název MOSFET (FieldEffect Transistor zkratka (FET)).MOSFET. malým počtem nosičů, které se podílejí na tepelné vodivosti, známé také jako vícepólový tranzistor. Je kategorizováno jako napěťově řízené polosupravodičové zařízení. Stávající výstupní odpor je vysoký (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), nízká hlučnost, nízká spotřeba energie, statický dosah, snadná integrace, žádný druhý jev poruchy, pojistná úloha širého moře a další výhody, nyní změnily bipolární přechodový tranzistor a výkonový přechodový tranzistor silných spolupracovníků.

Vlastnosti MOSFET

Za prvé: MOSFET je zařízení pro mastering napětí, které prochází přes VGS (gate source voltage) až po master ID (drain DC);

Druhý:MOSFETyvýstup DC je velmi malý, takže jeho výstupní odpor je velmi velký.

Za třetí: je aplikováno několik nosičů pro vedení tepla, a proto má lepší míru stability;

Čtyři: skládá se ze snížené cesty elektrické redukce malých koeficientů tak, aby byly menší než tranzistor, sestává ze snížené cesty elektrické redukce malých koeficientů;

Za páté: MOSFET výkon proti ozáření;

Šestá: protože nedochází k chybné činnosti menšinového rozptylu způsobeného rozptýlenými částicemi hluku, protože šum je nízký.

Princip úlohy MOSFET

MOSFETprincip úlohy v jedné větě, to jest "odtok - zdroj procházet kanálem mezi ID, s elektrodou a kanálem mezi pn konstruovaným do reverzního předpětí elektrody pro zvládnutí ID". Přesněji řečeno, amplituda ID v obvodu, to znamená, plocha průřezu kanálu, je to prostřednictvím proti-předpojaté odchylky pn přechodu, výskytu vrstvy vyčerpání k rozšíření variace zvládnutí důvodu. V nenasyceném moři VGS=0 není expanze uvedené přechodové vrstvy příliš velká, protože podle magnetického pole VDS přidaného mezi odtok-zdroj jsou některé elektrony ve zdrojovém moři odtahovány odtokem. , tj. existuje aktivita DC ID z odtoku ke zdroji. Mírná vrstva rozšiřující se od vtoku k odtoku vytvoří typ ucpání celého těla kanálu, ID plné. Označte tento vzor jako odtrhávání. To symbolizuje, že přechodová vrstva blokuje celý kanál a není to tak, že by byl DC odříznut.

V přechodové vrstvě, protože nedochází k vlastnímu pohybu elektronů a děr, se v reálné podobě izolačních charakteristik existence obecného stejnosměrného proudu těžko pohybuje. Nicméně magnetické pole mezi kolektor - zdroj, v praxi dvě přechodové vrstvy kontaktují kolektor a hradlový pól vlevo dole, protože driftové magnetické pole táhne vysokorychlostní elektrony přes přechodovou vrstvu. Protože síla driftového magnetického pole jednoduše nemění plnost ID scény. Za druhé, VGS se změní na zápornou polohu, takže VGS = VGS (vypnuto), pak přechodová vrstva do značné míry změní tvar pokrývající celé moře. A magnetické pole VDS je z velké části přidáno k přechodové vrstvě, magnetické pole, které táhne elektron do driftové polohy, pokud je blízko ke zdrojovému pólu velmi krátkého všech, což je spíše tak, že stejnosměrný výkon není schopný stagnovat.