Toto je zabalenýMOSFETpyroelektrický infračervený senzor. Obdélníkový rám je snímací okénko. Kolík G je zemnicí svorka, kolík D je interní kolektor MOSFET a kolík S je interní zdroj MOSFET. V obvodu je G připojen k zemi, D je připojen ke kladnému napájecímu zdroji, infračervené signály jsou na vstupu z okna a elektrické signály jsou na výstupu z S.
Soudná brána G
Ovladač MOS hraje hlavně roli tvarování tvaru vlny a vylepšení řízení: Pokud tvar vlny G signáluMOSFETnení dostatečně strmý, způsobí velké ztráty výkonu během spínací fáze. Jeho vedlejším účinkem je snížení účinnosti konverze obvodu. MOSFET bude mít silnou horečku a snadno se poškodí teplem. Mezi MOSFETGS existuje určitá kapacita. , pokud je schopnost řízení signálu G nedostatečná, vážně to ovlivní dobu skoku křivky.
Zkratujte pól GS, vyberte úroveň R×1 multimetru, připojte černý testovací vodič ke pólu S a červený testovací vodič k pólu D. Odpor by měl být několik Ω až více než deset Ω. Pokud se zjistí, že odpor určitého pinu a jeho dvou pinů je nekonečný a po výměně testovacích vodičů je stále nekonečný, potvrdí se, že tento pin je pól G, protože je izolován od ostatních dvou pinů.
Určete zdroj S a vypusťte D
Nastavte multimetr na R×1k a změřte odpor mezi třemi kolíky. Použijte metodu výměny testovacího vodiče pro měření odporu dvakrát. Ten s nižší hodnotou odporu (obecně několik tisíc Ω až více než deset tisíc Ω) je dopředný odpor. V tomto okamžiku je černý testovací vodič pól S a červený testovací vodič je připojen k pólu D. Kvůli různým testovacím podmínkám je naměřená hodnota RDS(on) vyšší než typická hodnota uvedená v návodu.
Tranzistor má kanál typu N, takže se nazývá N-kanálMOSFETneboNMOS. Existuje také P-kanálový MOS (PMOS) FET, což je PMOSFET složený z lehce dopovaného BACKGATE typu N a zdroje a odtoku typu P.
Bez ohledu na MOSFET typu N nebo typu P je jeho pracovní princip v podstatě stejný. MOSFET řídí proud na kolektoru výstupní svorky napětím přivedeným na hradlo vstupní svorky. MOSFET je napěťově řízené zařízení. Řídí charakteristiky zařízení prostřednictvím napětí přivedeného na bránu. Nezpůsobuje efekt akumulace náboje způsobený proudem báze, když je ke spínání použit tranzistor. Proto při přepínání aplikacíMOSFETyměly by spínat rychleji než tranzistory.
FET také dostal své jméno podle skutečnosti, že jeho vstup (tzv. hradlo) ovlivňuje proud protékající tranzistorem promítáním elektrického pole na izolační vrstvu. Ve skutečnosti tímto izolátorem neprotéká žádný proud, takže GATE proud FET trubice je velmi malý.
Nejběžnější FET používá tenkou vrstvu oxidu křemičitého jako izolátor pod GATE.
Tento typ tranzistoru se nazývá polovodičový tranzistor s oxidem kovu (MOS) nebo polovodičový polovodičový tranzistor s řízeným polem (MOSFET). Protože jsou MOSFETy menší a energeticky účinnější, nahradily v mnoha aplikacích bipolární tranzistory.
Čas odeslání: 10. listopadu 2023
