Podívejte se na MOSFETy

MOSFETy jsou izolační MOSFETy v integrovaných obvodech. MOSFETy, jako jedno z nejzákladnějších zařízení vpolovodič pole, jsou široce používány v obvodech na úrovni desky, stejně jako v IC design.The mozků a zdrojůMOSFETy mohou být zaměněny a jsou vytvořeny v zadní bráně typu P s oblastí typu N. Obecně jsou tyto dva zdroje zaměnitelné, oba tvoří oblast typu N vZadní brána typu P. Obecně jsou tyto dvě zóny stejné a i když se tyto dvě sekce přepnou, výkon zařízení to neovlivní. Proto je zařízení považováno za symetrické.

Princip:

MOSFET používá VGS k řízení množství "indukovaného náboje" ke změně stavu vodivého kanálu tvořeného těmito "indukovanými náboji" k řízení svodového proudu. Při výrobě tranzistorů MOSFET se v izolační vrstvě speciálními procesy objevuje velké množství kladných iontů, takže na druhé straně rozhraní lze snímat více záporných nábojů a oblast N vysokopermeabilních nečistot je spojena tyto záporné náboje a vytvoří se vodivý kanál a vytvoří se relativně velký odvodňovací proud, ID, i když je VGS 0. Pokud se změní napětí hradla, změní se také množství indukovaného náboje v kanálu a šířka vodivých kanálů se mění ve stejném rozsahu. Pokud se napětí hradla změní, změní se také množství indukovaného náboje v kanálu a změní se také šířka ve vodivém kanálu, takže ID kolektorového proudu se změní spolu s napětím hradla.

Role:

1. Může být aplikován na obvod zesilovače. Vzhledem k vysoké vstupní impedanci zesilovače MOSFET může být kapacita vazby menší a nelze použít elektrolytické kondenzátory.

Vysoká vstupní impedance je vhodná pro převod impedance. Často se používá pro převod impedance ve vstupním stupni vícestupňových zesilovačů.

3、Může být použit jako proměnný odpor.

4, lze použít jako elektronický spínač.

MOSFETy se nyní používají v celé řadě aplikací, včetně vysokofrekvenčních hlav v televizorech a spínaných napájecích zdrojích. V současné době jsou bipolární obyčejné tranzistory a MOS složeny dohromady, aby vytvořily IGBT (izolovaný hradlový bipolární tranzistor), který je široce používán v oblastech s vysokým výkonem, a integrované obvody MOS mají charakteristiku nízké spotřeby energie a nyní se CPU široce používají v MOS obvody.