Brána izolační vrstvy typu MOSFET aliasMOSFET (dále jen MOSFET), který má uprostřed hradlového napětí a zdroje odvodu plášť kabelu z oxidu křemičitého.
MOSFET je takéN-kanál a P-kanál dvě kategorie, ale každá kategorie je rozdělena na vylepšení a oslabení světla typu dva, takže existují celkem čtyři typy:Vylepšení N-kanálu, Vylepšení P-kanálu, Vyčerpání světla N-kanálu, Typ vyčerpání P-kanálu. Ale tam, kde je napětí zdroje hradla nula, odtokový proud je také nulový z trubky jsou zesílené trubice. Avšak tam, kde je napětí hradlového zdroje nulové, odvodňovací proud není nulový, jsou kategorizovány jako elektronky spotřebovávající světlo.
Vylepšený princip MOSFET:
Při práci uprostřed hradla zdroj nevyužívá napětí, střed odtokového zdroje PN přechodu je v opačném směru, nevznikne tedy vodivý kanál, i když střed odtokového zdroje s napětím, resp. vodivá příkopová elektřina je uzavřena, není možné mít pracovní proud podle. Když je uprostřed hradlového zdroje plus kladné směrové napětí na určitou hodnotu, uprostřed odtokového zdroje se vytvoří vodivý bezpečnostní kanál, takže vodivý příkop právě vytvořený tímto napětím hradlového zdroje se nazývá otevřené napětí VGS, čím větší je střed napětí zdroje hradla, tím je vodivý příkop širší, což zase vede k většímu toku elektřiny.
Princip MOSFET rozptylujícího světlo:
Při provozu se uprostřed zdroje hradla nepoužívá žádné napětí, na rozdíl od rozšíření typu MOSFET, a uprostřed zdroje kolektoru existuje vodivý kanál, takže do středu zdroje kolektoru je přidáno pouze kladné napětí, které vede k toku odtokového proudu. Navíc zdroj brány uprostřed kladného směru napětí, rozšíření vodivého kanálu, přidá opačný směr napětí, vodivý kanál se zmenšuje, průtok elektřiny bude menší, se zlepšením srovnání MOSFET, může být také v kladném a záporném počtu určitého počtu oblastí ve vodivém kanálu.
Účinnost MOSFET:
Nejprve se ke zvětšení používají MOSFETy. Protože vstupní odpor MOSFET zesilovače je velmi vysoký, filtrační kondenzátor může být menší, bez nutnosti použití elektrolytických kondenzátorů.
Za druhé, MOSFET s velmi vysokým vstupním odporem je zvláště vhodný pro převod charakteristické impedance. Běžně se používá ve vstupním stupni víceúrovňového zesilovače pro převod charakteristické impedance.
MOSFET lze použít jako nastavitelný odpor.
Za čtvrté, MOSFET může být vhodný jako stejnosměrný napájecí zdroj.
Jako spínací prvek lze použít V. MOSFET.
Čas odeslání: 23. července 2024
