MOSFET výběr | Principy konstrukce N-kanálových MOSFETů

MOSFET sestávající ze substrátu typu p a dvou n-rozprostírajících se oblastí s vysokými hodnotami koncentrace se nazývá n-kanál.MOSFETa vodivý kanál způsobený vodivým kanálem typu n je způsoben n-rozprostíracími cestami ve dvou n-rozprostíracích drahách s vysokými hodnotami koncentrace, když trubice vede. n-kanálové zesílené MOSFETy mají n-kanál způsobený vodivým kanálem, když je kladné směrové předpětí zvýšeno co možná nejvíce na hradle a pouze tehdy, když operace hradlového zdroje vyžaduje provozní napětí přesahující prahové napětí. n-kanálové vyčerpání MOSFETy jsou ty, které nejsou připraveny na hradlové napětí (provoz hradlového zdroje vyžaduje provozní napětí nula). N-kanálový MOSFET s ochuzeným světlem je n-kanálový MOSFET, ve kterém je vodivý kanál způsoben, když není připraveno hradlové napětí (provozní napětí zdroje hradla je nulové).

      Integrované obvody NMOSFET jsou N-kanálový napájecí obvod MOSFET, integrované obvody NMOSFET, vstupní odpor je velmi vysoký, drtivá většina nemusí strávit absorpci toku energie, a proto jsou integrované obvody CMOSFET a NMOSFET zapojeny, aniž by musely brát v úvahu zohledňují zatížení toku energie.Integrované obvody NMOSFET, naprostá většina výběru jednoskupinového kladného spínaného napájecího obvodu napájecí obvody Většina integrovaných obvodů NMOSFET používá jediný kladný spínaný napájecí obvod napájecího obvodu, a k 9V pro více. Integrované obvody CMOSFET potřebují pouze používat stejný napájecí obvod spínaného napájecího obvodu jako integrované obvody NMOSFET, lze je okamžitě propojit s integrovanými obvody NMOSFET. Nicméně, z NMOSFETu na CMOSFET okamžitě připojeno, protože výstupní odpor NMOSFET při přitažení je menší než odpor proti přitažení integrovaného obvodu CMOSFET, takže zkuste použít odpor při přitažení rozdílu potenciálu R, hodnota odporu R je obecně 2 až 100 kΩ.