MOSFETy (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) jsou často považovány za plně řízená zařízení. Je to proto, že provozní stav (zapnuto nebo vypnuto) MOSFETu je zcela řízen hradlovým napětím (Vgs) a nezávisí na proudu báze jako v případě bipolárního tranzistoru (BJT).
V MOSFETu určuje hradlové napětí Vgs, zda je mezi zdrojem a kolektorem vytvořen vodivý kanál, jakož i šířku a vodivost vodivého kanálu. Když Vgs překročí prahové napětí Vt, vytvoří se vodivý kanál a MOSFET přejde do zapnutého stavu; když Vgs klesne pod Vt, vodivý kanál zmizí a MOSFET je ve stavu cut-off. Toto ovládání je plně řízené, protože hradlové napětí může nezávisle a přesně řídit provozní stav MOSFETu, aniž by se spoléhalo na jiné parametry proudu nebo napětí.
Naproti tomu provozní stav polořízených zařízení (např. tyristorů) neovlivňuje pouze řídicí napětí nebo proud, ale také další faktory (např. anodové napětí, proud atd.). Výsledkem je, že plně řízená zařízení (např. MOSFET) obvykle nabízejí lepší výkon z hlediska přesnosti a flexibility řízení.
Stručně řečeno, MOSFETy jsou plně řízená zařízení, jejichž provozní stav je zcela řízen hradlovým napětím a mají výhody vysoké přesnosti, vysoké flexibility a nízké spotřeby energie.
Čas odeslání: 20. září 2024
