V programu pro návrh vypínače a jiného napájecího systému budou návrháři programů věnovat více pozornosti řadě hlavních parametrůMOSFET, jako je on-off rezistor, větší provozní napětí, větší tok energie. I když tento prvek jekritický, s ohledem na nevhodné místo způsobí, že napájecí obvod nebude fungovat správně, ale ve skutečnosti je to pouze první krok,MOSFETy vlastní parazitní parametry jsou považovány za důležitou věc pro ohrožení napájecího obvodu.
Okamžité řízení MOSFETů s napájecími IO
Dobrý obvod ovladače MOSFET má následující ustanovení:
(1) V okamžiku, kdy je spínač povolen, obvod ovladače by měl být schopen vydávat velmi velký proud, aby mezipólové provozní napětí brány-zdroje MOSFET rychle vzrostlo na požadovanou hodnotu, aby bylo zajištěno, že lze spínač otočit. rychle zapněte a na náběžné hraně nebudou žádné vysokofrekvenční oscilace.
(2) doba zapnutí a vypnutí napájení, obvod pohonu může zajistit, že mezipólové provozní napětí brány MOSFET je udržováno po dlouhou dobu a účinné vedení.
(3) Zavřete moment řídicího obvodu, může dodávat kanál s nízkou impedancí pro kapacitní provozní napětí zdroje hradla MOSFET mezi rychlým odběrem, aby bylo zajištěno, že lze spínač rychle vypnout.
(4) Jednoduchá a spolehlivá konstrukce hnacích obvodů s nízkým opotřebením.
(5) Podle konkrétní situace provádět ochranu.
V napájecím zdroji řídicího modulu je nejběžnější napájecí IC přímo řízený MOSFET. aplikace, je třeba věnovat pozornost většímu měniči nejvyšší hodnota toku energie, MOSFET distribuční kapacita 2 hlavní parametry. Schopnost měniče Power IC, velikost distribuční kapacity MOS, hodnota odporu měniče ohrozí rychlost spínání výkonu MOSFET. Pokud je výběr distribuční kapacity MOSFET relativně velký, kapacita interního pohonu IC napájecího zdroje nestačí, musí být v obvodu pohonu, aby se zlepšila schopnost pohonu, často použijte napájecí obvod totemového pólu, aby se zvýšila schopnost napájení IC pohonu .
Čas odeslání: 25. července 2024
