MOSFET, známý jako Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, je široce používané elektronické zařízení, které patří k typu Field-Effect Transistor (FET).MOSFETsestává z kovového hradla, oxidové izolační vrstvy (obvykle oxid křemíku SiO₂) a polovodičové vrstvy (obvykle křemík Si). Princip činnosti spočívá v ovládání hradlového napětí pro změnu elektrického pole na povrchu nebo uvnitř polovodiče, čímž se řídí proud mezi zdrojem a odtokem.
MOSFETylze rozdělit do dvou hlavních typů: N-kanálMOSFETy(NMOS) a P-kanálMOSFETy(PMOS). V NMOS, když je hradlové napětí kladné vzhledem ke zdroji, jsou na povrchu polovodiče vytvořeny vodivé kanály typu n, které umožňují proudění elektronů ze zdroje do odpadu. V PMOS, když je hradlové napětí záporné vzhledem ke zdroji, jsou na povrchu polovodiče vytvořeny vodivé kanály typu p, které umožňují proudění otvorů ze zdroje do odpadu.
MOSFETymají mnoho výhod, jako je vysoká vstupní impedance, nízký šum, nízká spotřeba energie a snadná integrace, takže jsou široce používány v analogových obvodech, digitálních obvodech, řízení spotřeby, výkonové elektronice, komunikačních systémech a dalších oblastech. V integrovaných obvodech,MOSFETyjsou základní jednotky, které tvoří logické obvody CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Obvody CMOS spojují výhody NMOS a PMOS a vyznačují se nízkou spotřebou energie, vysokou rychlostí a vysokou integrací.
navícMOSFETylze kategorizovat na typ vylepšení a typ vyčerpání podle toho, zda jsou jejich vodivé kanály předem vytvořeny. Typ vylepšeníMOSFETv hradle je napětí nula, když kanál není vodivý, je třeba použít určité napětí hradla, aby se vytvořil vodivý kanál; zatímco typ vyčerpáníMOSFETv hradlovém napětí je nula, když je kanál již vodivý, hradlové napětí se používá k řízení vodivosti kanálu.
v souhrnuMOSFETje tranzistor s efektem pole na bázi polovodičové struktury z oxidu kovu, který reguluje proud mezi zdrojem a kolektorem řízením napětí hradla a má širokou škálu aplikací a důležitou technickou hodnotu.
Čas odeslání: 12. září 2024
