V dnešní době, s rychlým rozvojem vědy a techniky, se polovodiče používají ve stále více průmyslových odvětvích, ve kterýchMOSFET je také považováno za velmi běžné polovodičové zařízení, dalším krokem je pochopit, jaký je rozdíl mezi charakteristikami bipolárního výkonového krystalového tranzistoru a výstupního výkonu MOSFET.
1, způsob práce
MOSFET je práce potřebná k podpoře provozního napětí, schémata zapojení vysvětlit relativně jednoduché, podporovat výkon malých; moc krystalový tranzistor je tok energie na podporu návrhu programu je složitější, na podporu specifikace výběru obtížné podporovat specifikace ohrozí napájení celkové spínací rychlosti.
2, celková rychlost spínání napájecího zdroje
MOSFET ovlivněný teplotou je malý, spínací výkon napájecího zdroje může zajistit více než 150 kHz; výkonový krystalový tranzistor má velmi málo volného času skladování, omezuje rychlost spínání napájecího zdroje, ale jeho výstupní výkon obecně není větší než 50 kHz.
3, Bezpečná pracovní oblast
Výkonový MOSFET nemá žádný sekundární základ a bezpečný pracovní prostor je široký; výkonový krystalový tranzistor má sekundární bázi, která omezuje bezpečnou pracovní oblast.
4、Požadavek na pracovní napětí elektrického vodiče
MocMOSFET patří k vysokonapěťovému typu, pracovní napětí na vedení je vyšší, existuje kladný teplotní koeficient; výkonový krystalový tranzistor bez ohledu na to, kolik peněz je odolný vůči pracovnímu požadovanému pracovnímu napětí, pracovní napětí pracovního požadavku elektrického vodiče je nižší a má záporný teplotní koeficient.
5, maximální tok energie
napájecí MOSFET v spínacím obvodu napájecího obvodu napájecího obvodu napájecího obvodu jako napájecího spínače, v provozu a stabilní práci uprostřed, maximální tok energie je nižší; a výkonový krystalový tranzistor v provozu a stabilní práce uprostřed, maximální tok výkonu je vyšší.
6, cena produktu
Cena výkonového MOSFETu je o něco vyšší; cena výkonové krystalové triody je o něco nižší.
7, Penetrační efekt
Výkonový MOSFET nemá penetrační efekt; výkonový krystalový tranzistor má penetrační efekt.
8、Ztráta při přepínání
Spínací ztráta MOSFET není velká; Spínací ztráta výkonového krystalového tranzistoru je poměrně velká.
Kromě toho má naprostá většina výkonových MOSFET integrovanou diodu tlumící rázy, zatímco bipolární výkonový krystalový tranzistor téměř nemá integrovanou diodu tlumící rázy. Dioda tlumící rázy MOSFET může být také univerzálním magnetem pro spínání napájecích obvodů magnetových cívek pro udání úhlu účiníku bezpečnostního kanálu toku energie. Efekt pole elektronka v diodě tlumící rázy v celém procesu vypínání s obecnou diodou jako existence zpětného obnovovacího toku proudu, v této době dioda na jedné straně zabírá odtok - zdroj kladný pól uprostřed podstatného zvýšení pracovních požadavků na provozní napětí na druhé straně a zpětný tok obnovovacího proudu.
Čas odeslání: 29. května 2024
