I. Definice MOSFET
Jako napěťově řízená zařízení s vysokým proudem, MOSFETy mají velké množství aplikací v obvodech, zejména v energetických systémech. Tělesné diody MOSFET, známé také jako parazitní diody, se nenacházejí v litografii integrovaných obvodů, ale nacházejí se v samostatných zařízeních MOSFET, která poskytují zpětnou ochranu a pokračování proudu při řízení vysokými proudy a při přítomnosti indukčních zátěží.
Vzhledem k přítomnosti této diody nelze MOSFET zařízení jednoduše vidět, jak se v obvodu přepíná, jako v nabíjecím obvodu, kde je nabíjení ukončeno, je odpojeno napájení a baterie se obrátí směrem ven, což je obvykle nežádoucí výsledek.
Obecným řešením je přidat diodu na zadní stranu, aby se zabránilo zpětnému napájení, ale vlastnosti diody určují potřebu poklesu napětí v propustném směru o 0,6 ~ 1 V, což má za následek vážné vytváření tepla při vysokých proudech, což způsobuje plýtvání. energie a snížení celkové energetické účinnosti. Další metodou je připojení MOSFETu zády k sobě, využívající nízkého odporu MOSFETu k dosažení energetické účinnosti.
Je třeba poznamenat, že po vedení je MOSFET nesměrový, takže po vedení pod tlakem je ekvivalentní drátu, pouze odporový, žádný pokles napětí v zapnutém stavu, obvykle nasycený odpor několik miliohmů ažvčasné miliohmya nesměrové, umožňující průchod stejnosměrného a střídavého proudu.
II. Charakteristika MOSFETů
1, MOSFET je napěťově řízené zařízení, pro pohon vysokých proudů není potřeba žádný hnací stupeň;
2、Vysoký vstupní odpor;
3, široký rozsah provozní frekvence, vysoká rychlost spínání, nízké ztráty
4, AC pohodlná vysoká impedance, nízká hlučnost.
5,Vícenásobné paralelní použití, zvýšení výstupního proudu
Za druhé, použití MOSFETů v procesu preventivních opatření
1, aby bylo zajištěno bezpečné použití MOSFET, v návrhu vedení by nemělo překročit ztrátový výkon potrubí, maximální svodové napětí zdroje, napětí a proud hradla a další limitní hodnoty parametrů.
2, různé typy MOSFETů v použití, musíbýt přísně in v souladu s požadovaným zkreslením přístupu k obvodu, aby byla dodržena polarita offsetu MOSFET.
3. Při instalaci MOSFETu věnujte pozornost poloze instalace, abyste se vyhnuli blízkosti topného tělesa. Aby se zabránilo vibracím kování, musí být plášť utažen; ohýbání vývodů kolíku by mělo být prováděno ve větší velikosti, než je velikost kořene 5 mm, aby se zabránilo ohnutí kolíku a úniku.
4, kvůli extrémně vysoké vstupní impedanci musí být MOSFETy během přepravy a skladování zkratovány z kolíku a zabaleny s kovovým stíněním, aby se zabránilo externímu indukovanému potenciálnímu poškození brány.
5. Napětí hradla přechodových MOSFETů nelze obrátit a může být uloženo v rozpojeném stavu, ale vstupní odpor MOSFETů s izolovaným hradlem je velmi vysoký, když se nepoužívají, takže každá elektroda musí být zkratována. Při pájení MOSFETů s izolovanou bránou dodržujte pořadí source-drain-gate a pájejte s vypnutým napájením.
Abyste zajistili bezpečné používání tranzistorů MOSFET, musíte plně porozumět vlastnostem tranzistorů MOSFET a opatřením, která je třeba přijmout při používání tohoto procesu, doufám, že výše uvedené shrnutí vám pomůže.
Čas odeslání: 15. května 2024
