Tok testování MOSFET

Čas odeslání: 25. května 2024

MOSFET Detection Flow MOSFETy, jako jedno z nejzákladnějších zařízení v oblasti polovodičů, jsou široce používány v různých návrzích produktů a obvodech na úrovni desek. Zejména v oblasti výkonových polovodičů hrají MOSFETy různých struktur nezastupitelnou roli. Samozřejmostí je vysoká míra využitíMOSFETy vedlo k menším problémům. Jeden z problémů s únikem MOSFET, různá místa mají různá řešení, takže jsme pro vás zorganizovali několik účinných metod odstraňování problémů.

Před detekcí od MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspekt:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Kromě toho, jak je známo, není k dispozici žádná gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, můžete použít následující postupy:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter jel en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET lekkage; zal niet veranderen je er geen problém;

2, více přenosových misí na MOSFET gate a bron polen s elkaar verbonden, as de digitale multimeter onald on middellijk terug on a one indig, dan is de MOSFET is geen problem;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pero naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick markering moet geen grote armen;

4, s dodávkou 100KΩ-200KΩ verbonden s bránou a odtokem, s proudem pro jízdu s tranzistory MOSFET S, s dvojitou s odtokovou zdířkou s MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal značení je u konce het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op basis van deze weerstand aan de MOSFET gate batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als Gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron pool pass, zodat de digitale, multimetergrometer pool bias de gezichtshoek, motyka hoger het laden en ontladen kenmerken.