Základní identifikace a testování MOSFET

1. Identifikace kolíku MOSFET spojky

Brána zMOSFET je báze tranzistoru a kolektor a zdroj jsou kolektorem a emitorem tranzistoruodpovídající tranzistor. Multimetr na převod R × 1k se dvěma pery pro měření odporu vpřed a vzad mezi dvěma kolíky. Když dvoupinový dopředný odpor = reverzní odpor = KΩ, to znamená dva kolíky pro zdroj S a odvod D, zbytek kolíku je hradlo G. Pokud se jedná o 4kolíkovékřižovatka MOSFET, druhý pól je použití uzemněného stínění.

Základní identifikace a testování MOSFET 拷贝

2.Určete bránu　

S černým perem multimetru se dotkněte MOSFET náhodné elektrody, červeným perem se dotkněte dalších dvou elektrod. Pokud jsou oba naměřené odpory malé, což znamená, že oba jsou kladným odporem, elektronka patří k N-kanálovému MOSFETu, stejný kontakt černého pera je také hradlem.

Výrobní proces rozhodl, že odtok a zdroj MOSFETu jsou symetrické a lze je vzájemně vyměňovat a neovlivní to použití obvodu, obvod je v tuto chvíli také normální, takže není třeba jít k přílišnému rozlišování. Odpor mezi odtokem a zdrojem je asi několik tisíc ohmů. Tuto metodu nelze použít k určení brány izolované brány typu MOSFET. Protože odpor vstupu tohoto MOSFETu je extrémně vysoký a interpolární kapacita mezi hradlem a zdrojem je velmi malá, může být měření i malého množství náboje vytvořeno na vrcholu mezipolárního kapacitě extrémně vysokého napětí, MOSFET se velmi snadno poškodí.

Základní identifikace a testování MOSFET(1)

3.Odhad zesilovací schopnosti MOSFETů

Když je multimetr nastaven na R × 100, použijte červené pero pro připojení zdroje S a černé pero pro připojení kolektoru D, což je jako přidání 1,5V napětí na MOSFET. V tomto okamžiku ručička ukazuje hodnotu odporu mezi pólem DS. V tomto okamžiku s prstem sevřete bránu G, tělo indukované napětí jako vstupní signál do brány. Kvůli úloze zesílení MOSFET se změní ID a UDS, což znamená, že se změnil odpor mezi pólem DS, můžeme pozorovat, že jehla má velkou amplitudu výkyvu. Pokud ruka sevře bránu, výkyv jehly je velmi malý, to znamená, že schopnost zesílení MOSFET je relativně slabá; pokud jehla nemá sebemenší akci, což znamená, že MOSFET byl poškozen.