WSP4888 Dual N-Channel 30V 9,8A SOP-8 MOSFET WINSOK

produkty

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9,8A SOP-8 MOSFET WINSOK

Stručný popis:


  • Modelové číslo:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID:9,8A
  • Kanál:Duální N-kanál
  • Balík:SOP-8
  • Letní produkt:Napětí WSP4888 MOSFET je 30V, proud je 9,8A, odpor je 13,5mΩ, kanál je Dual N-Channel a balení je SOP-8.
  • Aplikace:E-cigarety, bezdrátové nabíječky, motory, drony, zdravotnictví, nabíječky do auta, ovládací prvky, digitální zařízení, malá zařízení a elektronika pro spotřebitele.
  • Detail produktu

    aplikace

    Štítky produktu

    Obecný popis

    WSP4888 je vysoce výkonný tranzistor s hustou strukturou buněk, ideální pro použití v synchronních buck měničích.Může se pochlubit vynikajícím nabíjením RDSON a brány, což z něj činí nejlepší volbu pro tyto aplikace.WSP4888 navíc splňuje požadavky RoHS i Green Product a přichází se 100% zárukou EAS pro spolehlivou funkci.

    Funkce

    Advanced Trench Technology se vyznačuje vysokou hustotou buněk a super nízkým hradlovým nábojem, což výrazně snižuje CdV/dt efekt.Naše zařízení se dodávají se 100% zárukou EAS a možnostmi šetrnými k životnímu prostředí.

    Naše MOSFETy podléhají přísným opatřením kontroly kvality, aby bylo zajištěno, že splňují nejvyšší průmyslové standardy.Každá jednotka je důkladně testována na výkon, odolnost a spolehlivost, což zajišťuje dlouhou životnost produktu.Jeho robustní konstrukce mu umožňuje odolat extrémním pracovním podmínkám a zajišťuje nepřetržitou funkčnost zařízení.

    Konkurenceschopné ceny: Navzdory své vynikající kvalitě mají naše MOSFETy vysoce konkurenceschopné ceny, což poskytuje významné úspory nákladů bez kompromisů ve výkonu.Věříme, že všichni spotřebitelé by měli mít přístup k vysoce kvalitním produktům a naše cenová strategie tento závazek odráží.

    Široká kompatibilita: Naše MOSFETy jsou kompatibilní s řadou elektronických systémů, díky čemuž jsou všestrannou volbou pro výrobce a koncové uživatele.Bezproblémově se integruje do stávajících systémů a zvyšuje celkový výkon bez nutnosti větších úprav designu.

    Aplikace

    Vysokofrekvenční point-of-load synchronní Buck převodník pro použití v MB/NB/UMPC/VGA systémech, síťových DC-DC napájecích systémech, zátěžových spínačích, elektronických cigaretách, bezdrátových nabíječkách, motorech, dronech, lékařských zařízeních, nabíječkách do aut, ovladačích , digitální produkty, malé domácí spotřebiče a spotřební elektronika.

    odpovídající číslo materiálu

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    Důležité parametry

    Symbol Parametr Hodnocení Jednotky
    VDS Drain-Source Voltage 30 V
    VGS Napětí brány-zdroje ±20 V
    ID@TC=25 °C Trvalý odtokový proud, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70 °C Trvalý odtokový proud, VGS @ 10V1 8,0 A
    IDM Pulzní vypouštěcí proud2 45 A
    EAS Jednopulzní lavinová energie3 25 mJ
    IAS Lavinový proud 12 A
    PD@TA=25 °C Celková ztráta energie4 2,0 W
    TSTG Rozsah teplot skladování -55 až 150
    TJ Rozsah teplot provozního spoje -55 až 150
    Symbol Parametr Podmínky Min. Typ. Max. Jednotka
    BVDSS Průrazné napětí odtokového zdroje VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS teplotní koeficient Odkaz na 25℃, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS (zapnuto) Odpor zdroje statického odvodu 2 VGS=10V, ID=8,5A --- 13.5 18
           
        VGS=4,5V, ID=5A --- 18 25  
    VGS(th) Prahové napětí brány VGS=VDS, ID=250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) Teplotní koeficient   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Dopředná transkonduktance VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Odolnost brány VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Celkové nabití brány (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=8,8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Poplatek za zdroj brány --- 1.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.5 ---
    Td(on) Doba zpoždění zapnutí VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Čas vzestupu --- 9.2 19
    Td (vypnuto) Doba zpoždění vypnutí --- 19 34
    Tf Podzim --- 4.2 8
    Ciss Vstupní kapacita VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Výstupní kapacita --- 98 112
    Crss Reverzní přenosová kapacita --- 59 91

  • Předchozí:
  • Další:

  • Zde napište svou zprávu a pošlete nám ji