WSM340N10G N-kanál 100V 340A TOLL-8L MOSFET WINSOK
Obecný popis
WSM340N10G je nejvýkonnější zákopový N-Ch MOSFET s extrémně vysokou hustotou buněk, který poskytuje vynikající RDSON a hradlové nabíjení pro většinu aplikací synchronních převodníků.WSM340N10G splňuje požadavky RoHS a Green Product, 100% EAS zaručena se schválenou plnou funkční spolehlivostí.
Funkce
Pokročilá technologie Trench s vysokou hustotou buněk, Super Low Gate Charge, Vynikající pokles CdV/dt efektu, 100% záruka EAS, zelené zařízení k dispozici.
Aplikace
Synchronní usměrnění, DC/DC měnič, zátěžový spínač, lékařské vybavení, drony, PD napájecí zdroje, LED napájecí zdroje, průmyslová zařízení atd.
Důležité parametry
Absolutní maximální hodnocení
| Symbol | Parametr | Hodnocení | Jednotky |
| VDS | Drain-Source Voltage | 100 | V |
| VGS | Napětí brány-zdroje | ±20 | V |
| ID@TC=25 °C | Trvalý odtokový proud, VGS @ 10V | 340 | A |
| ID@TC=100 °C | Trvalý odtokový proud, VGS @ 10V | 230 | A |
| IDM | Pulzní vypouštěcí proud..TC=25°C | 1150 | A |
| EAS | Lavinová energie, jeden pulz, L=0,5 mH | 1800 | mJ |
| IAS | Lavinový proud, jeden pulz, L=0,5 mH | 120 | A |
| PD@TC=25 °C | Celková ztráta energie | 375 | W |
| PD@TC=100 °C | Celková ztráta energie | 187 | W |
| TSTG | Rozsah teplot skladování | -55 až 175 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplot provozního spoje | 175 | ℃ |
Elektrické vlastnosti (TJ=25℃, pokud není uvedeno jinak)
| Symbol | Parametr | Podmínky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Průrazné napětí odtokového zdroje | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS teplotní koeficient | Odkaz na 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS (zapnuto) | Statický odtokový zdroj On-Resistance | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(th) | Prahové napětí brány | VGS=VDS, ID=250uA | 2,0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Teplotní koeficient | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Odolnost brány | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Celkové nabití brány (10 V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | Poplatek za zdroj brány | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 60 | --- | ||
| Td(on) | Doba zpoždění zapnutí | VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | Čas vzestupu | --- | 50 | --- | ||
| Td (vypnuto) | Doba zpoždění vypnutí | --- | 228 | --- | ||
| Tf | Podzim | --- | 322 | --- | ||
| Ciss | Vstupní kapacita | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| Coss | Výstupní kapacita | --- | 6160 | --- | ||
| Crss | Reverzní přenosová kapacita | --- | 220 | --- |
Zde napište svou zprávu a pošlete nám ji
