WSM340N10G N-kanál 100V 340A TOLL-8L MOSFET WINSOK

krátký popis:

Číslo modelu:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Kanál:N-kanál

Balík:MÝTO-8L

Letní produkt:Napětí WSM340N10G MOSFET je 100V, proud je 340A, odpor je 1,6mΩ, kanál je N-kanál a balení je TOLL-8L.

Aplikace:Lékařské vybavení, drony, zdroje PD, zdroje LED, průmyslové vybavení atd.

Pošlete nám e-mail PDF

Detail produktu

Aplikace

Štítky produktu

Obecný popis

WSM340N10G je nejvýkonnější zákopový N-Ch MOSFET s extrémně vysokou hustotou buněk, který poskytuje vynikající RDSON a hradlové nabíjení pro většinu aplikací synchronních převodníků. WSM340N10G splňuje požadavky RoHS a Green Product, 100% EAS zaručena se schválenou plnou funkční spolehlivostí.

Vlastnosti

Pokročilá technologie Trench s vysokou hustotou buněk, Super Low Gate Charge, Vynikající pokles CdV/dt efektu, 100% záruka EAS, Zelené zařízení k dispozici.

Aplikace

Synchronní usměrnění, DC/DC měnič, zátěžový spínač, lékařské vybavení, drony, PD napájecí zdroje, LED napájecí zdroje, průmyslová zařízení atd.

Důležité parametry

Absolutní maximální hodnocení

Symbol	Parametr	Hodnocení	Jednotky
VDS	Drain-Source Voltage	100	V
VGS	Napětí brány-zdroje	±20	V
ID@TC=25 °C	Trvalý vypouštěcí proud, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100 °C	Trvalý vypouštěcí proud, VGS @ 10V	230	A
IDM	Pulzní vypouštěcí proud..TC=25°C	1150	A
EAS	Lavinová energie, jeden pulz, L=0,5 mH	1800	mJ
IAS	Lavinový proud, jeden pulz, L=0,5 mH	120	A
PD@TC=25 °C	Celková ztráta energie	375	W
PD@TC=100 °C	Celková ztráta energie	187	W
TSTG	Rozsah skladovacích teplot	-55 až 175	℃
TJ	Rozsah teplot provozního spoje	175	℃

Elektrické vlastnosti (TJ=25℃, pokud není uvedeno jinak)

Symbol	Parametr	Podmínky	Min.	Typ.	Max.	Jednotka
BVDSS	Průrazné napětí odtokového zdroje	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS teplotní koeficient	Odkaz na 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS (zapnuto)	Statický odtokový zdroj On-Resistance	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Prahové napětí brány	VGS=VDS, ID=250uA	2,0	3.0	4,0	V
△VGS(th)	VGS(th) Teplotní koeficient	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Odolnost brány	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1,0	---	Ω
Qg	Celkové nabití brány (10 V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Poplatek za zdroj brány		---	80	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td(on)	Doba zpoždění zapnutí	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Čas vzestupu		---	50	---
Td (vypnuto)	Doba zpoždění vypnutí		---	228	---
Tf	Podzimní čas		---	322	---
Ciss	Vstupní kapacita	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Výstupní kapacita		---	6160	---
Crss	Reverzní přenosová kapacita		---	220	---