WSD75N12GDN56 N-kanál 120V 75A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Přehled produktů MOSFET WINSOK
Napětí WSD75N12GDN56 MOSFET je 120V, proud je 75A, odpor je 6mΩ, kanál je N-kanál a balení je DFN5X6-8.
Oblasti použití MOSFET WINSOK
Zdravotnická technika MOSFET, drony MOSFET, PD zdroje MOSFET, LED zdroje MOSFET, průmyslové vybavení MOSFET.
Oblasti použití MOSFET MOSFET WINSOK odpovídá číslům materiálů jiných značek
MOSFET AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923. MOSFET PANJIT PSMQC76N12LS1.
Parametry MOSFET
| Symbol | Parametr | Hodnocení | Jednotky |
| VDSS | Napětí mezi odtokem ke zdroji | 120 | V |
| VGS | Gate-to-Source Napětí | ±20 | V |
| ID | 1 Trvalý odtokový proud (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Trvalý odtokový proud (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Pulzní vypouštěcí proud | 320 | A |
| IAR | Jednopulzní lavinový proud | 40 | A |
| EASa | Jednopulzní lavinová energie | 240 | mJ |
| PD | Ztráta výkonu | 125 | W |
| TJ, Tstg | Rozsah provozních teplot a skladovacích teplot | -55 až 150 | ℃ |
| TL | Maximální teplota pro pájení | 260 | ℃ |
| RθJC | Tepelný odpor, spojení s pouzdrem | 1,0 | ℃/W |
| RθJA | Tepelný odpor, spojení s okolním prostředím | 50 | ℃/W |
| Symbol | Parametr | Testovací podmínky | Min. | Typ. | Max. | Jednotky |
| VDSS | Vypusťte do zdroje Průrazné napětí | VGS=0V, ID=250uA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Vypusťte do zdroje svodový proud | VDS = 120V, VGS= 0V | -- | -- | 1 | uA |
| IGSS(F) | Brána ke zdroji dopředný únik | VGS = +20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Brána ke zdroji Reverzní únik | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Prahové napětí brány | VDS = VGS, ID = 250 uA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Odpor mezi odtokem ke zdroji | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Dopředná transkonduktance | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Vstupní kapacita | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Výstupní kapacita | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Reverzní přenosová kapacita | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Odpor brány | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td (ON) | Doba zpoždění zapnutí | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Čas vzestupu | -- | 11 | -- | ns | |
| td (OFF) | Doba zpoždění vypnutí | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Podzimní čas | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Celkový poplatek za bránu | VGS =0~10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Nabíjení zdroje brány | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Poplatek za vypouštění brány | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Dopředný proud diody | TC = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Pulzní proud diody | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Dopředné napětí diody | IS=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Reverzní doba zotavení | IS=20A, VDD=50V dlF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | -- | 250 | -- | nC |
