WSD75100DN56 N-kanál 75V 100A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Přehled produktů MOSFET WINSOK
Napětí WSD75100DN56 MOSFET je 75V, proud je 100A, odpor je 5,3mΩ, kanál je N-kanál a balení je DFN5X6-8.
Oblasti použití MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrátové nabíjení MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lékařské péče, nabíječky do auta MOSFET, ovladače MOSFET, digitální produkty MOSFET, MOSFET malé domácí spotřebiče, MOSFET spotřební elektroniky.
MOSFET WINSOK odpovídá číslům materiálu jiných značek
MOSFET AOS AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,MOSFET FAIRCHILD NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC,42NSDC7NSG3. 6X.
Parametry MOSFET
| Symbol | Parametr | Hodnocení | Jednotky |
| VDS | Drain-Source Voltage | 75 | V |
| VGS | Brána-Source Napětí | ±25 | V |
| TJ | Maximální teplota spoje | 150 | °C |
| ID | Rozsah teplot skladování | -55 až 150 | °C |
| IS | Diode Continuous Forward Current,TC=25 °C | 50 | A |
| ID | Trvalý odtokový proud, VGS= 10V,TC=25 °C | 100 | A |
| Trvalý odtokový proud, VGS= 10V,TC= 100 °C | 73 | A | |
| IDM | Pulzní vypouštěcí proud, TC=25 °C | 400 | A |
| PD | Maximální ztrátový výkon,TC=25 °C | 155 | W |
| Maximální ztrátový výkon,TC= 100 °C | 62 | W | |
| RθJA | Tepelný odpor-přechod k okolí ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Tepelný odpor - přechod na okolní, ustálený stav | 60 | °C | |
| RqJC | Tepelný odpor – spojení s pouzdrem | 0,8 | °C |
| IAS | Lavinový proud, jeden pulz, L=0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Lavinová energie, jeden pulz, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parametr | Podmínky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Průrazné napětí odtokového zdroje | VGS= 0V, ID= 250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotní koeficient | Odkaz na 25℃, jáD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (zapnuto) | Statický odtokový zdroj On-Resistance2 | VGS=10V, ID= 25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Prahové napětí brány | VGS=VDS, jáD= 250uA | 2,0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotní koeficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 48V, VGS= 0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48V, VGS= 0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopředná transkonduktance | VDS= 5V, ID= 20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Odolnost brány | VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | 2 | Ω |
| Qg | Celkové nabití brány (10 V) | VDS= 20V, VGS= 10V, ID= 40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Poplatek za zdroj brány | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 17 | --- | ||
| Td(on) | Doba zpoždění zapnutí | VDD= 30V, VGEN= 10V, RG=1Ω, jáD=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Čas vzestupu | --- | 14 | 26 | ||
| Td (vypnuto) | Doba zpoždění vypnutí | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Podzim | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Vstupní kapacita | VDS= 20V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Výstupní kapacita | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Reverzní přenosová kapacita | 100 | 195 | 250 |
