WSD6070DN56 N-kanál 60V 80A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Přehled produktů MOSFET WINSOK
Napětí WSD6070DN56 MOSFET je 60V, proud je 80A, odpor je 7,3mΩ, kanál je N-kanál a balení je DFN5X6-8.
Oblasti použití MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrátové nabíjení MOSFET, motory MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lékařské péče, nabíječky do auta MOSFET, ovladače MOSFET, digitální produkty MOSFET, MOSFET malé domácí spotřebiče, MOSFET spotřební elektroniky.
MOSFET WINSOK odpovídá číslům materiálu jiných značek
POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.
Parametry MOSFET
| Symbol | Parametr | Hodnocení | Jednotky |
| VDS | Drain-Source Voltage | 60 | V |
| VGS | Brána-Source Napětí | ±20 | V |
| TJ | Maximální teplota spoje | 150 | °C |
| ID | Rozsah skladovacích teplot | -55 až 150 | °C |
| IS | Diode Continuous Forward Current,TC=25 °C | 80 | A |
| ID | Trvalý odtokový proud, VGS= 10V,TC=25 °C | 80 | A |
| Trvalý odtokový proud, VGS= 10V,TC= 100 °C | 66 | A | |
| IDM | Pulzní vypouštěcí proud, TC=25 °C | 300 | A |
| PD | Maximální ztrátový výkon,TC=25 °C | 150 | W |
| Maximální ztrátový výkon,TC= 100 °C | 75 | W | |
| RθJA | Tepelný odpor-přechod k okolí ,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Tepelný odpor - přechod na okolní, ustálený stav | 62,5 | °C/W | |
| RqJC | Tepelný odpor – spojení s pouzdrem | 1 | °C/W |
| IAS | Lavinový proud, jeden pulz, L=0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Lavinová energie, jeden pulz, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parametr | Podmínky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Průrazné napětí odtokového zdroje | VGS= 0V, ID= 250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotní koeficient | Odkaz na 25℃, jáD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (zapnuto) | Statický odtokový zdroj On-Resistance2 | VGS=10V, ID= 40A | --- | 7,0 | 9,0 | mΩ |
| VGS(th) | Prahové napětí brány | VGS=VDS, jáD= 250uA | 2,0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotní koeficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 48V, VGS= 0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48V, VGS= 0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopředná transkonduktance | VDS= 5V, ID= 20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Odolnost brány | VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Celkové nabití brány (10 V) | VDS= 30V, VGS= 10V, ID= 40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Poplatek za zdroj brány | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td(on) | Doba zpoždění zapnutí | VDD= 30V, VGEN= 10V, RG=1Ω, jáD=1A,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Čas vzestupu | --- | 10 | --- | ||
| Td (vypnuto) | Doba zpoždění vypnutí | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Podzimní čas | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Vstupní kapacita | VDS= 30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Výstupní kapacita | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Reverzní přenosová kapacita | --- | 160 | --- |
