WSD6060DN56 N-kanál 60V 65A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

krátký popis:

Číslo dílu:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Kanál:N-kanál

Balík:DFN5X6-8

Pošlete nám e-mail PDF

Detail produktu

Aplikace

Štítky produktu

Přehled produktů MOSFET WINSOK

Napětí WSD6060DN56 MOSFET je 60V, proud je 65A, odpor je 7,5mΩ, kanál je N-kanál a balení je DFN5X6-8.

Oblasti použití MOSFET WINSOK

E-cigarety MOSFET, bezdrátové nabíjení MOSFET, motory MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lékařské péče, nabíječky do auta MOSFET, ovladače MOSFET, digitální produkty MOSFET, MOSFET malé domácí spotřebiče, MOSFET spotřební elektroniky.

MOSFET WINSOK odpovídá číslům materiálu jiných značek

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Polovodičový MOSFET PDC696X.

Parametry MOSFET

Symbol	Parametr		Hodnocení	Jednotka
Společné hodnocení
VDSS	Drain-Source Voltage		60	V
VGSS	Napětí brány-zdroje		±20	V
T_J	Maximální teplota spoje		150	°C
TSTG	Rozsah skladovacích teplot		-55 až 150	°C
I_S	Průběžný dopředný proud diody	T_c=25 °C	30	A
ID	Trvalý odtokový proud	T_c=25 °C	65	A
ID	Trvalý odtokový proud	T_c=70 °C	42	A
I DM b	Pulzní vypouštěcí proud Testován	T_c=25 °C	250	A
P_D	Maximální ztrátový výkon	T_c=25 °C	62,5	W
P_D	Maximální ztrátový výkon	T_C=70 °C	38	W
R_qJL	Tepelný odpor - křižovatka k vedení	Ustálený stav	2.1	°C/W
RqJA	Tepelný odpor – přechod na okolní prostředí	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Tepelný odpor – přechod na okolní prostředí	Ustálený stav^b	50	°C/W
JÁ JAKO^d	Lavinový proud, jeden impuls	L = 0,5 mH	18	A
E AS d	Lavinová energie, jeden pulz	L = 0,5 mH	81	mJ

Symbol	Parametr	Testovací podmínky		Min.	Typ.	Max.	Jednotka
Statické charakteristiky
BV_DSS	Průrazné napětí odtokového zdroje	V_GS= 0V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Zero Gate Voltage Odtokový proud	V_DS= 48V, V_GS= 0 V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Voltage Odtokový proud						mA
			T_J= 85 °C	-	-	30
VGS(th)	Prahové napětí brány	V_DS=V_GS, já_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Svodový proud brány	V_GS=±20V, V_DS= 0 V		-	-	±100	nA
R DS(ON) 3	Odolnost zdroje odtoku v zapnutém stavu	V_GS= 10V, I_DS= 20A		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Odolnost zdroje odtoku v zapnutém stavu	V_GS= 4,5 V, I_DS= 15 A		-	10	15	m W
Charakteristika diod
V SD	Dopředné napětí diody	I_SD= 1A, V_GS= 0 V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Reverzní doba zotavení	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/us		-	42	-	ns
Q_rr	Reverse Recovery Charge	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/us		-	36	-	nC
Dynamické vlastnosti^3,4
R_G	Odolnost brány	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Vstupní kapacita	V_GS= 0 V, V_DS= 30 V, F=1,0 MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Výstupní kapacita			-	270	-
C_rss	Reverzní přenosová kapacita			-	40	-
td (ON)	Doba zpoždění zapnutí	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG = 6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Doba náběhu zapnutí			-	6	-
td (VYPNUTO)	Doba zpoždění vypnutí			-	33	-
t_f	Čas vypnutí			-	30	-
Charakteristika nabíjení brány ^3,4
Q_g	Celkový poplatek za bránu	V_DS= 30 V, V_GS= 4,5 V, I_DS= 20A		-	13	-	nC
Q_g	Celkový poplatek za bránu	V_DS= 30V, V_GS= 10V, I_DS= 20A		-	27	-
Q_gth	Nabíjení prahové brány			-	4.1	-
Q_gs	Poplatek za zdroj brány			-	5	-
Q_gd	Gate-Drain Charge			-	4.2	-