WSD45N10GDN56 N-kanál 100V 45A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Přehled produktů MOSFET WINSOK
Napětí WSD45N10GDN56 MOSFET je 100V, proud je 45A, odpor je 14,5mΩ, kanál je N-kanál a balení je DFN5X6-8.
Oblasti použití MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrátové nabíjení MOSFET, motory MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lékařské péče, nabíječky do auta MOSFET, ovladače MOSFET, digitální produkty MOSFET, MOSFET malé domácí spotřebiče, MOSFET spotřební elektroniky.
MOSFET WINSOK odpovídá číslům materiálu jiných značek
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Polovodičový MOSFET PDC966X.
Parametry MOSFET
| Symbol | Parametr | Hodnocení | Jednotky |
| VDS | Drain-Source Voltage | 100 | V |
| VGS | Brána-Source Napětí | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Trvalý odtokový proud, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Trvalý odtokový proud, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Trvalý odtokový proud, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Trvalý odtokový proud, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Pulzní vypouštěcí proud | 130 | A |
| EASb | Jednopulzní lavinová energie | 169 | mJ |
| IASb | Lavinový proud | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Celková ztráta energie | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Celková ztráta energie | 5,0 | W |
| TSTG | Rozsah teplot skladování | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplot provozního spoje | -55 až 150 | ℃ |
| Symbol | Parametr | Podmínky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Průrazné napětí odtokového zdroje | VGS= 0V, ID= 250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS teplotní koeficient | Odkaz na 25℃, jáD= 1 mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS (zapnuto)d | Statický odtokový zdroj On-Resistance2 | VGS= 10V, ID= 26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(th) | Prahové napětí brány | VGS=VDS, jáD= 250uA | 2,0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotní koeficient | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 80V, VGS= 0V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS= 80V, VGS= 0V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Odolnost brány | VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qge | Celkové nabití brány (10 V) | VDS= 50V, VGS= 10V, ID= 26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Poplatek za zdroj brány | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td(on)e | Doba zpoždění zapnutí | VDD= 30V, VGEN= 10V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Čas vzestupu | --- | 9 | 17 | ||
| Td (vypnuto)e | Doba zpoždění vypnutí | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Podzim | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Vstupní kapacita | VDS= 30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Výstupní kapacita | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Reverzní přenosová kapacita | --- | 42 | --- |
