WSD40120DN56 N-kanál 40V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Přehled produktů MOSFET WINSOK
Napětí WSD40120DN56 MOSFET je 40V, proud je 120A, odpor je 1,85mΩ, kanál je N-kanál a balení je DFN5X6-8.
Oblasti použití MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrátové nabíjení MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lékařské péče, nabíječky do auta MOSFET, ovladače MOSFET, digitální produkty MOSFET, MOSFET malé domácí spotřebiče, MOSFET spotřební elektroniky.
MOSFET WINSOK odpovídá číslům materiálu jiných značek
MOSFET AOS AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,MOSFET FAIRCHILD NVMFS5C442NL.MOSFET VISHAY SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXPPHTOSFET4 PH481 MOSFET1 MOSFET1 VISHAY SFET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Polovodičový MOSFET PDC496X.
Parametry MOSFET
| Symbol | Parametr | Hodnocení | Jednotky |
| VDS | Drain-Source Voltage | 40 | V |
| VGS | Brána-Source Napětí | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Trvalý odtokový proud, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Trvalý odtokový proud, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Pulzní vypouštěcí proud2 | 400 | A |
| EAS | Jednopulzní lavinová energie3 | 240 | mJ |
| IAS | Lavinový proud | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Celková ztráta energie4 | 104 | W |
| TSTG | Rozsah teplot skladování | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplot provozního spoje | -55 až 150 | ℃ |
| Symbol | Parametr | Podmínky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Průrazné napětí odtokového zdroje | VGS= 0V, ID= 250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotní koeficient | Odkaz na 25℃, jáD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (zapnuto) | Statický odtokový zdroj On-Resistance2 | VGS=10V, ID= 30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS (zapnuto) | Statický odtokový zdroj On-Resistance2 | VGS=4,5V, ID= 20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | Prahové napětí brány | VGS=VDS, jáD= 250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotní koeficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 32V, VGS= 0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 32V, VGS= 0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopředná transkonduktance | VDS= 5V, ID= 20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Odolnost brány | VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Celkové nabití brány (10 V) | VDS= 20V, VGS= 10V, ID= 10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Poplatek za zdroj brány | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(on) | Doba zpoždění zapnutí | VDD= 30V, VGEN= 10V, RG=1Ω, jáD=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Čas vzestupu | --- | 10 | 12 | ||
| Td (vypnuto) | Doba zpoždění vypnutí | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Podzim | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | Vstupní kapacita | VDS= 20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Výstupní kapacita | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Reverzní přenosová kapacita | --- | 370 | --- |
