WSD30350DN56G N-kanál 30V 350A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Přehled produktů MOSFET WINSOK
Napětí WSD30350DN56G MOSFET je 30V, proud je 350A, odpor je 1,8mΩ, kanál je N-kanál a balení je DFN5X6-8.
Oblasti použití MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrátové nabíjení MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lékařské péče, nabíječky do auta MOSFET, ovladače MOSFET, digitální produkty MOSFET, MOSFET malé domácí spotřebiče, MOSFET spotřební elektroniky.
Parametry MOSFET
| Symbol | Parametr | Hodnocení | Jednotky |
| VDS | Drain-Source Voltage | 30 | V |
| VGS | Brána-Source Napětí | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Trvalý odtokový proud(Silicon Limited)1,7 | 350 | A |
| ID@TC=70℃ | Nepřetržitý odtokový proud (Silicon Limited)1,7 | 247 | A |
| IDM | Pulzní vypouštěcí proud2 | 600 | A |
| EAS | Jednopulzní lavinová energie3 | 1800 | mJ |
| IAS | Lavinový proud | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Celková ztráta energie4 | 104 | W |
| TSTG | Rozsah skladovacích teplot | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplot provozního spoje | -55 až 150 | ℃ |
| Symbol | Parametr | Podmínky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Průrazné napětí odtokového zdroje | VGS= 0V, ID= 250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotní koeficient | Odkaz na 25℃, jáD= 1 mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS (zapnuto) | Statický odtokový zdroj On-Resistance2 | VGS= 10V, ID= 20A | --- | 0,48 | 0,62 | mΩ |
| VGS= 4,5V, ID= 20A | --- | 0,72 | 0,95 | |||
| VGS(th) | Prahové napětí brány | VGS=VDS, jáD= 250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotní koeficient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 24V, VGS= 0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 24V, VGS= 0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopředná transkonduktance | VDS= 5V, ID= 10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Odolnost brány | VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Celkové nabití brány (4,5 V) | VDS= 15V, VGS= 4,5V, ID= 20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | Poplatek za zdroj brány | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 20 | --- | ||
| Td(on) | Doba zpoždění zapnutí | VDD= 15V, VGEN= 10V, RG=1Ω, jáD= 10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Čas vzestupu | --- | 34 | --- | ||
| Td (vypnuto) | Doba zpoždění vypnutí | --- | 61 | --- | ||
| Tf | Podzimní čas | --- | 18 | --- | ||
| Ciss | Vstupní kapacita | VDS= 15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| Coss | Výstupní kapacita | --- | 4525 | --- | ||
| Crss | Reverzní přenosová kapacita | --- | 139 | --- |
