Technologie rychlého nabíjení jako základní součást moderního elektronického vybavení se rychle vyvíjí a vyvíjí.Průmyslová odvětví, jako jsou chytré telefony a elektrická vozidla, poháněná trhem s rychlým nabíjením, stále více požadují rychlá a efektivní řešení nabíjení.Inovace v technologii rychlého nabíjení se nezaměřují pouze na zlepšení rychlosti nabíjení, ale kladou důraz také na bezpečnost.Při pohledu do budoucnosti bude technologie rychlého nabíjení kombinována s bezdrátovým nabíjením a účinnější technologií baterií, aby bylo dosaženo kvalitativního skoku a přineslo uživatelům pohodlnější a ekologičtější nabíjení.S rozvojem technologií a expanzí trhu se očekává, že si odvětví rychlého nabíjení bude i nadále udržovat rychlý růst.
Když mluvíme o aplikaciMOSFETv technologii rychlého nabíjení je ve skutečnosti několik bolestí hlavy.
Za prvé, protože rychlé nabíjení vyžaduje velký proudMOSFETse velmi zahřeje, a jak se s tímto teplem vypořádat, se stává velkým problémem.Pak jsou tu také problémy s efektivitou.Při rychlém přepínání MOSFET snadno ztrácí část své energie, což má vliv na účinnost nabíjení.Zařízení pro rychlé nabíjení navíc doufá, že bude co nejmenší, ale to vyžaduje, aby byl MOSFET malý a také aby se vypořádal s problémem tepla.Protože MOSFET se přepíná rychle, může rušit jiné elektronické zařízení, což je také problém.A konečně, prostředí rychlého nabíjení má vysoké požadavky na výdržné napětí a proud MOSFETů, což je test jejich výkonu.Dlouhodobá práce v tomto prostředí může také ovlivnit jejich životnost a spolehlivost.Stručně řečeno, ačkoli je MOSFET kritický pro rychlé nabíjení, čelí mnoha výzvám.
WINSOKMOSFET vám může pomoci vyřešit výše uvedené problémy.Hlavní aplikační modely WINSOK MOSFET v rychlém nabíjení jsou:
| Číslo dílu | Konfigurace | Typ | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Balík | |||
| @10V | |||||||||||
| (PROTI) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Singl | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Singl | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Singl | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Singl | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Singl | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Singl | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Singl | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Další čísla materiálu značky odpovídající výše uvedeným MOSFETům WINSOK jsou:
Odpovídající čísla materiálu MOSFETu WINSOK WSD3050DN jsou:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTNTFS4949.0N, SiNNTFper8439.0NYNTYN 8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Odpovídající čísla materiálu WINSOK MOSFET WSD30L40DN jsou:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Mikroelektronika STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1503BAPEA,.
Odpovídající čísla materiálu WINSOK MOSFET WSP6020 jsou:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS.6904
Odpovídající čísla materiálu MOSFET WINSOK WSP16N10 jsou:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Odpovídající čísla materiálu MOSFETu WINSOK WSP4435 jsou:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO6DCHA4FDS4,AO5658Z13. Si4431CDY.ST Mikroelektronika STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS, DTMDTM44357
Odpovídající čísla materiálu MOSFETu WINSOK WSP4407 jsou:AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics,LLP36666. TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Odpovídající čísla materiálu MOSFET WINSOK WSP4606 jsou:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.0958A.VISHAY1958A.VISHAYPANJ55SMVISHAY. O-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Odpovídající čísla materiálu WINSOK MOSFET WSR80N10 jsou:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10PN3G086,10PN30G080 PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Čas odeslání: 28. listopadu 2023
